LDO的参数解析说明

1) 输入输出电压差(Drop-out Voltage)：这个应该没什么好说的吧，卖的就是这个了~~理论上当然越低越好。一般PMOS可以做到200mV。

2) PSRR：这就是LDO经典的参数电源纹波抑制比(Power Supply Ripple Rejection)，它是很多LDO芯片用来衡量LDO对不同频率输入电源纹波的抑制能力，它反映的是LDO不受噪声和电压波动而保持输出电压稳定的能力(抗干扰能力)。其计算公式为输出电压和输入电压纹波幅度的比值，所以PSRR值越低越好。(反之则反)

3) 超低静态电流Iq(Quiescent)：这种主要应用在传感器一类的元件中，大部分时间都是休眠的，所以在静止状态下的电流是待机的主要杀手，它主要是直接对地进行电流测试(一般几个uA)。

4) Vin MIN: 最小值决定了你是否能开启LDO的调整管，因为当Vin小于1V时(RTK standard)，可能Vin-Vout无法开启调整管则无法工作，此时必须外接charge pump给误差放大器了，那我们就干脆选用NMOS做调整管了。

5) 线性调整率/负载调整率：

a. 线性调整率(Liner regulation)：输出电压的变化与输入电压的变化比值(ΔVout/ΔVin)。

b. 负载调整率(Load regulation)：指输出电压随负载电流的变化情况(ΔVout/ΔIout)。

这两个参数都对应电路的稳态响应特性，通常情况下，输出电压随输入电压的降低及负载电流的增大而降低。要想提高线路及负载调整率，较为直接的方法是提高环路增益。